一种0.3～0.4 THz高功率脉冲探测器模型研究

• 作者: 李勇 李爽 王光强 王建国 王雪锋 童长江
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 高功率 太赫兹 半导体探测器 灵敏度
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 电磁场与电磁波
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: O441.6|O473
• 字数: 3695字
• 语种: 中文

摘要

利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4 THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509 kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建国		123	908	14.0	23.0
5	童长江		17	108	6.0	9.0
6	李勇		12	49	3.0	6.0
7	李爽		26	80	4.0	7.0
8	王雪锋		17	63	4.0	7.0
9	王光强		21	58	4.0	6.0