空位和B、N、Al、P掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响

• 作者: 徐庆强 肖永欣 胡功臣
• 来源期刊: 淮阴工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯 空位 掺杂 吸附 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 物理·计算机应用
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: O4.28
• 字数: 5078字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B、N、Al、P掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响,结果表明:Li原子在完整石墨烯上吸附的稳定位置为心位,吸附高度在覆盖度低于1/40 ML时趋于恒值；B、N、P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易；杂质类型对Li在石墨烯上的吸附位置有显著的影响；空位和B、Al、P替位掺杂均加强了Li在石墨烯上的吸附,Al替位掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响相对较大；Al、P掺杂改变了Li的稳定吸附位置(由心位移到顶位)；Li在空位缺陷和N掺杂石墨烯上吸附后,两体系具有磁性,Li吸附在B-graphene、Al-graphene、P-graphene体系磁矩为零,不显示磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖永欣	英利能源(中国)有限公司公共检测中心	1	9	1.0	1.0
2	胡功臣	江苏师范大学物理与电子工程学院	1	9	1.0	1.0
3	徐庆强	江苏师范大学物理与电子工程学院	1	9	1.0	1.0