一种获得纳米间隙电极的接触光刻方法

• 作者: 张玉龙 张艳 蒋书森
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电极对 纳米间隙 阵列误差光刻 接触光刻 纳米电子学
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 518-522
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.08.008

摘要

提出一种称之为“阵列误差光刻”的方法.采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布形成了一个最小的纳米间隙.设计并制作了一种含有16对电极的验证器件,按照光刻对准误差的范围为±2.0μm进行估算,理论上最小间隙的分布范围为0～150 nm.通过扫描电镜测量实际制造的样品,获得了大量50 nm以下的电极对,最小间隙为16.6 nm,并且制备的电极层厚度可以达到200 nm,使串联电阻较小.这种纳米间隙电极的制备方法简单有效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉龙	厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院	7	42	4.0	6.0
2	张艳	厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院	6	17	1.0	4.0
3	蒋书森	厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院	3	17	1.0	3.0