中科院微电子所22纳米CMOS工艺研发取得突破

• 来源期刊: 自动化信息
• 学科: 工学
• 关键词: 中科院 微电子所 22nm CMOS工艺
• 年，卷（期）: zdhxx_2013,（1）
• 页码范围: 80-80
• 页数: 1页
• 分类号: TN929.11

摘要

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高Ⅺ金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能表现良好。22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金力争抢占技术制高点：Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；