阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响

• 作者: 孙钧 宋志敏 张余川 张晓微 陈昌华
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 无箔二极管 强流电子束 I-Ⅴ特性 结构影响因子
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 带电粒子束、等离子体和加速器
• 页码范围: 246-250
• 页数: 5页
• 分类号: TL501+.5
• 字数: 3130字
• 语种: 中文

摘要

通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋志敏	西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室	35	194	8.0	12.0
2	陈昌华	西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室	46	330	13.0	16.0
3	孙钧	西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室	21	88	5.0	8.0
4	张晓微	西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室	13	47	4.0	6.0
5	张余川	西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室	9	21	3.0	4.0