陶瓷及陶瓷基复合材料的连接技术具有重要的工程意义。鉴于采用以含氢聚硅氧烷(HPSO)和含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)的混合物(用 HPSO-VPSO 表示)为主要成分的连接剂能够有效地连接 SiC 陶瓷,采用热重法(TG)、差热扫描量热法(DSC)、红外光谱(IR)以及 X 射线衍射(XRD)研究 HPSO-VPSO 体系的交联和裂解过程。试验结果表明,氯铂酸催化剂能促进 HPSO-VPSO 体系的交联,从而提高体系的陶瓷产率。HPSO-VPSO 从室温到1200℃的质量耗损约为45%,主要的质量耗损过程发生在370~825℃之间。在1300℃及以下裂解产物为非晶态物质,在1300~1400℃范围内裂解产物发生结晶,形成 SiC 和 SiO2晶体。