Ba、Gd共掺杂SrTiO3结构的能带计算

• 作者: 张丽丽 张丽英 曹庆琪
• 来源期刊: 伊犁师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: SrTiO3 掺杂 第一性原理 能带结构 态密度
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: O481.1
• 字数: 1688字
• 语种: 中文

摘要

运用第一性原理密度泛函理论研究了未掺杂、Ba掺杂和Ba、Gd共掺杂SrTiO3(STO)晶体的几何结构、能带结构、电子态密度,并且进行了分析.计算结果表明,未掺杂的STO、Ba单掺杂和Ba、Gd共掺杂STO晶体的禁带宽度分别为1.89ev、1.77ev、0.677ev,同未掺杂、Ba单掺杂STO相比,Ba、Gd共掺杂STO晶体具有更稳定的结构,更窄的带隙,并且呈现出导电性.