电流型GaN辐射探测器研制

• 作者: 余小任 刘洋 宋晓靓 欧阳晓平 苏春磊 马燕
• 来源期刊: 现代应用物理
• 关键词: 半绝缘型GaN 半导体探测器 电荷收集效率
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 核物理、粒子物理、射线束与探测技术
• 页码范围: 319-322
• 页数: 4页
• 字数: 1711字
• 语种: 中文

摘要

采用大面积半绝缘型GaN (semi-insulting GaN,SI-GaN)晶体制备了电流型GaN辐射探测器,研究了探测器伏安(Ⅰ-Ⅴ)特性、γ射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能.结果表明,晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触,探测器在600 V偏压下暗电流低于400 pA,电荷收集效率高于40％,探测器脉冲响应时间在ns量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧阳晓平		99	283	9.0	11.0
2	刘洋	华北电力大学核科学与工程学院	83	436	9.0	19.0
3	余小任		10	19	3.0	4.0
4	苏春磊		11	24	3.0	4.0
5	马燕		15	27	2.0	4.0
6	宋晓靓		7	8	2.0	2.0