自旋密度光栅和本征 GaAs 量子阱中的电子自旋双极扩散

• 作者: 余华梁 狄俊安 陈曦矅
• 来源期刊: 中国光学
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋密度光栅 GaAs量子阱 电子自旋双极扩散 飞秒激光
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: ? 集成光电子?
• 页码范围: 710-717
• 页数: 8页
• 分类号: O473
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CO.20130605.0710

摘要

为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响，提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬态自旋光栅和瞬态自旋密度光栅，并用于研究电子自旋扩散和电子自旋双极扩散。实验测得自旋双极扩散系数Das ＝25.4 cm 2/s，低于自旋扩散系数Ds ＝113.0 cm 2/s，表明自旋密度光栅中电子自旋扩散受到空穴的显著影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余华梁	闽江学院物理与电子信息工程系	9	16	2.0	3.0
2	狄俊安	闽江学院物理与电子信息工程系	13	15	2.0	3.0
3	陈曦矅	福建师范大学物理系	1	2	1.0	1.0