硅的过渡金属缺陷

• 作者: 杨盈莹
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: 金属缺陷 光致发光特性 硅 有害污染物 半导体材料 过渡金属 发光器件 电子元件
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 3-4
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.12

摘要

近几十年来，硅及其掺杂过渡金属如铜、银、金、铂等成分的发光特性一直是科学家们感兴趣的研究热点，寻找高效率的光致发光特性是研究者们追寻的目标，利用其高发光性的特性可作为有害污染物的标记及应用于制造发光器件。硅大量存在于地球地壳中，主要分布在沙石和玻璃中，是著名的电子元件半导体材料。自然界中的硅往往跟其它元素构成复合物。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨盈莹	中国科学院半导体研究所	89	10	2.0	3.0