基于SAFT的单晶硅内部缺陷时域检测成像方法

• 作者: 乌伟 邱宗明 黄秋红
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 合成孔径聚焦技术 无损检测 缺陷尺寸 时域 SAFT成像
• 年，卷（期）: 2016,（15）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 2075-2079,2084
• 页数: 6页
• 分类号: TM930.1
• 字数: 3146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-132X.2016.15.016

摘要

为了提高单晶硅内部缺陷的测量精确度和空间分辨率，针对单晶硅材料提出了合成孔径聚焦技术直接时域重建的方法，将多个A超扫描测量结果连续叠加，合并样本点的相位信息，根据 TOF 算法实现数据映射和同相求和.基于6 dB-drop 的概念，提出了可描述缺陷边界特征的测量方法，进而推测缺陷的范围、位置、形状及特征，为单晶硅切片工序的计算提供更多信息.流时域重建方法可用于处理实验数据，进而描绘缺陷的特征，简单有效地提高空间分辨率.实验结果表明，该方法可清楚辨别出两个间隔小且直径为0．8 mm的孔洞，且天然缺陷的尺寸和方位的量化非常接近于实际测量出的切割试样.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱宗明		39	251	8.0	14.0
2	黄秋红		14	86	6.0	9.0
3	乌伟		2	2	1.0	1.0