基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器

• 作者: 冯其 唐政维 武逶 王巍 王川 王振 袁军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 跨阻放大器 CMOS 并联电感峰化 容性退化 调节型共源共栅
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 920-923,929
• 分类号: TN722
• 语种: 中文

摘要

提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10 Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计.该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级.同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽.当光电二极管电容为250 fF时,该电路的-3 dB带宽为9.2 GHz,跨阻增益为57.6 dBQ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5 pA/√Hz(0～10 GHz),电路的群时延为±20 ps.在1.8V单电源供电时,功耗为26 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电大学光电工程学院	72	264	9.0	10.0
2	唐政维	重庆邮电大学光电工程学院	25	163	6.0	12.0
3	王振	重庆邮电大学光电工程学院	26	71	6.0	7.0
4	袁军	重庆邮电大学光电工程学院	20	32	3.0	4.0
5	武逶	重庆邮电大学光电工程学院	8	49	5.0	6.0
6	冯其	重庆邮电大学光电工程学院	8	49	5.0	6.0
7	王川	重庆邮电大学光电工程学院	3	14	2.0	3.0