SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究

• 作者: 冯松 高勇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上锗硅 定向耦合器 耦合长度 耦合间距
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 314-318
• 页数: 5页
• 分类号: TN252
• 字数: 1714字
• 语种: 中文

摘要

基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和Ge含量对耦合长度的影响;重点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及Ge含量等物理量之间的关系,得出了为了便于光电集成,可以在本文模拟的参数值范围内,选择较大的脊形宽度和较小的耦合间距和Ge含量的结论,为SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研制提供了技术参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
5	冯松	西安理工大学自动化与信息工程学院	7	13	2.0	3.0