用于 n／γ混合场测量的涂硼电离室研制

• 作者: 府宇 张紫霞 方美华 朱立 贾文宝 陈国云 雷升杰 魏志勇
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 涂硼电离室 中子灵敏度 I-V 曲线 混合场
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 反应堆工程
• 页码范围: 1624-1628
• 页数: 5页
• 分类号: TL816.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.09.1624

摘要

研制了一种能同时测量混合场中γ和中子注量率的涂硼电离室，并实验测试了其性能。涂硼电离室由两个大小和结构一致的腔室组成：1个仅对γ灵敏，另1个对γ与中子均灵敏。用强度为2.7×107 s-1的Am-Be源测得电离室的中子灵敏度达9.2×10-16 A/（cm-2· s-1），在剂量率为5.24μGy/h的137 Csγ场中，电离室的γ灵敏度达7.36×10-16 A/（MeV · cm -2· s-1）。涂硼电离室 I-V 曲线坪长为600 V ，坪斜小于4％/100 V ，在工作电压为-400 V时，其γ补偿修正系数＜5％，可用于核设施周围的混合场监测。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷升杰		6	50	4.0	6.0
2	魏志勇		35	211	8.0	12.0
3	张紫霞		14	83	6.0	8.0
4	方美华		37	162	7.0	11.0
5	陈国云	南昌大学物理系	19	95	6.0	9.0
6	朱立		4	15	3.0	3.0
7	贾文宝		32	68	5.0	6.0
8	府宇		1	0	0.0	0.0