含一液晶缺陷层的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性研究

• 作者: 谢应茂 陈蔚金
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 可调光子晶体 液晶 缺陷模 传输矩阵法
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 实验技术与装置
• 页码范围: 15-16
• 页数: 2页
• 分类号: TN713
• 字数: 2127字
• 语种: 中文

摘要

当电场强度大于阈值时,液晶可以看成是单轴介质,其折射率可以通过电场方向来调控.在光子晶体中引入缺陷层液晶,利用传输矩阵法研究了含有一层填充不同液晶(分别为E7、5CB或BL-009)缺陷的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性.结果表明:对应于E7、5CB或BL-009不同液晶缺陷,缺陷模波长可调量分别为43nm、34.5nm和37.1nm,电场对E7这种液晶相对于其他两种液晶可调量更大.随着垂直入射光与电场方向间夹角θ在(00,900)内增大,缺陷模波长向着短波方向漂移.这是由于有效折射率的变化及变化范围所引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢应茂	赣南师范学院物理与电子信息学院	54	135	6.0	8.0
7	陈蔚金	赣南师范学院物理与电子信息学院	2	3	1.0	1.0