垒层p型掺杂量的分布对InGaN基发光二极管性能的影响

• 作者: 仵乐娟 刘超 李述体 王海龙
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 发光二极管 GaN InGaN 多量子阱
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 光学与光学工程
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: O482.7
• 字数: 2227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6054/j.jscnun.2013.01.012

摘要

采用APSYS软件分析了lnGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及其作用.结果表明,当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时,发光二极管的发光强度最大,大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因是优化了垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
2	刘超	华南师范大学光电子材料与技术研究所	7	4	1.0	1.0
3	仵乐娟	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	0	0.0	0.0
4	王海龙	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	0	0.0	0.0