AlGaInP DH-LED的pn结特性

• 作者: 梁中翥 梁静秋 王维彪 田超 秦余欣 高丹
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 电压电流特性 pn结 简并半导体
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1213-1218
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133409.1213

摘要

针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系.通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大；当电压过大时,电流密度几乎不增大.随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命.综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2～2.33 V.