火焰法制备Al／MoO3纳米片阵列的影响因素

• 作者: 李瑞 杨光成 沈金朋 赵娜 黄辉
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 应用化学 含能材料 Al/MoO3 亚稳态分子间复合物(MIC) 火焰法
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 洈研究论文
• 页码范围: 734-737
• 页数: 4页
• 分类号: TJ55|O69
• 字数: 1818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2013.06.009

摘要

亚稳态分子间复合物（MIC）阵列由于具有高能量密度、小尺寸条件下能自持反应的优点，在集成化火工品方面具有潜在的应用价值。采用火焰法在硅基底上原位制备了高度有序的MoO3纳米片阵列，探讨了基底材料、纳米阵列生长时间、火焰源因素对生成MoO3形貌的影响，得到了MoO3纳米片阵列的优化制备工艺条件：以硅片为基底，生长时间为5 min和甲烷为火焰源。制备的纳米片厚度为100～200 nm，宽度约5μm，长度达到十几个微米。分别采用磁控溅射和热蒸发在MoO3纳米片阵列表面镀铝得到Al/MoO3 MIC阵列，在铝膜厚度相同的情况下，采用热蒸发镀铝方式优于磁控溅射。热蒸发铝膜厚度为900 nm时，所获得的Al/MoO3 MIC阵列具有较高的放热量，达到3276 J? g-1。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵娜		18	36	3.0	5.0
2	黄辉	中国工程物理研究院化工材料研究所	100	1362	21.0	32.0
3	李瑞	中国工程物理研究院化工材料研究所	8	6	1.0	2.0
4	沈金朋	中国工程物理研究院化工材料研究所	2	3	1.0	1.0
5	杨光成	中国工程物理研究院化工材料研究所	31	242	8.0	14.0