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摘要:
自20世纪90年代以来,互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器随着大规模集成电路技术的提高,发展势头也越来越强劲。主要介绍了CMOS图像传感器的工作过程,通过CMOS与电荷耦合器件(CCD)的性能参数对比,凸显出了CMOS的性能优势,并指出了CMOS的发展趋势。
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文献信息
篇名 图像传感器CMOS的性能及发展趋势
来源期刊 内蒙古民族大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 CMOS图像传感器 CCD 性能参数 发展趋势
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目 物理
研究方向 页码范围 502-505
页数 4页 分类号 TM212
字数 3671字 语种 中文
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王旭颖 内蒙古民族大学物理与电子信息学院 5 25 1.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS图像传感器
CCD
性能参数
发展趋势
研究起点
研究来源
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期刊影响力
内蒙古民族大学学报(自然科学版)
双月刊
1671-0185
15-1220/N
大16开
内蒙古通辽市霍林河大街西536号
16-123
1979
chi
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10
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