闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 张现周 焦照勇 郭永亮 马淑红
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 宽禁带半导体 电子结构 光学性质 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 670-676
• 页数: 7页
• 分类号: O471.5|O472+.3
• 字数: 2382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2013.04.027

摘要

本文采用基于密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势从头算量子力学方法,对闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb的电子结构和光学性质进行了研究.分析比较了这些化合物的能带结构、态密度、介电函数及折射率等性质,总结Al与不同V族元素形成化合物时的性质变化规律.结果表明,四种材料有着相似的能带结构,都是间接带隙宽禁带半导体,但是在导带底AlN的能态结构与其它三种材料明显不同.随着从AlN到AlSb的变化,光学性质曲线向低能端移动(红移趋势).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张现周	河南师范大学物理与信息工程学院	73	229	8.0	12.0
2	焦照勇	河南师范大学物理与信息工程学院	26	47	3.0	5.0
3	郭永亮	河南师范大学物理与信息工程学院	3	17	3.0	3.0
4	马淑红	河南师范大学物理与信息工程学院	20	38	3.0	5.0