C掺杂AlN的电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 王腊节 聂招秀
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C掺杂AlN 铁磁性 稀磁半导体(DMS) 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 116-122
• 页数: 7页
• 分类号: O472
• 字数: 2804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.01.019

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极化,在带隙中引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,同时表现出较强的半金属铁磁性,半金属能隙为0.315eV,理论上可实现100％的自旋载流子注入.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收系数在低能区出现新的峰值,吸收边向低能方向延展,能量损失明显减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王腊节	南昌大学共青学院	11	12	2.0	2.0
2	聂招秀		8	7	2.0	2.0