第一性原理研究Be-S共掺杂AlN纳米片的 电子结构和光学性质

• 作者: 刘玉怀 屈艺谱 王芳 陈雪
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铝纳米片 密度泛函理论 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 团簇与纳米结构
• 页码范围: 765-770
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2980字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.05.008

摘要

基于密度泛函理论体系下广义梯度近似(GGA),利用第一性原理方法计算了Be替代Al、S替代N和Be-S共掺杂对氮化铝纳米片的电子结构和光学性质的影响.计算结果表明,掺杂改变了氮化铝纳米片的带隙,但仍显示半导体特性.Be掺杂类型对氮化铝纳米片的晶体结构影响不大,而S掺杂和Be-S共掺杂都使得氮化铝纳米片有不同程度的弯曲.同时Be-S共掺杂中S原子起到激活受主杂质Be原子的作用,使得受主能级向低能方向移动.共掺杂比单掺杂具有更高的受主原子浓度,并减小局域化程度.光学性质也发生较大改变:S原子掺杂氮化铝纳米片的介电函数虚部出现第二介电峰,Be掺杂和Be-S共掺杂使得损失谱的能量区间有所展宽,峰值降低并向高能区移动.