镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 丁学成 吴转花 梁伟华 王英龙 褚立志 邓泽超 郭建新
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硅纳米线 掺杂 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 8071-8077
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对镍掺杂硅纳米线的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Ni容易占据硅纳米线表面的替代位置.镍掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级,杂质能级主要来源于Ni的3d电子的贡献.由于Ni的3d态和si的3p态的耦合作用,使禁带宽度变窄.掺杂后的硅纳米线在低能区出现了一个较强的吸收峰,且吸收带出现宽化现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
2	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
3	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
4	梁伟华	河北大学物理科学与技术学院	36	92	6.0	8.0
5	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
6	郭建新	河北大学物理科学与技术学院	23	88	4.0	8.0
7	吴转花	河北大学物理科学与技术学院	3	27	3.0	3.0