Er掺杂SiNP电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 傅广生 梁伟华 王秀丽 王英龙
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si纳米晶粒 Er掺杂 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 1617-1622
• 分类号: O731
• 字数: 4077字
• 语种: 中文

摘要

当硅基发光材料得到广泛应用时,为了给硅基材料的设计及应用提供理论依据,利用基于密度泛函理论的第一性原理,对Er掺杂在Si纳米晶粒不同位置的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Er掺杂在Si纳米晶粒的中心位置时,结构最稳定；Er掺杂后的Si纳米晶粒引入了杂质能级,最终导致禁带宽度变窄；掺杂后的Si纳米晶粒在低能区出现了一个新的吸收峰,当Er原子向表面位置移动时,新的吸收峰峰值逐渐减小,甚至消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	梁伟华	河北大学物理科学与技术学院	36	92	6.0	8.0
3	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
4	王秀丽	河北大学物理科学与技术学院	9	12	2.0	2.0