第一性原理研究[112]硅锗异质结 纳米线的电子结构与光学性质

• 作者: 张加宏 李敏 赵佳佳 顾芳
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅锗异质结构 纳米线 硅锗组分 应变 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 335-341
• 页数: 7页
• 分类号: O471
• 字数: 3464字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.02.027

摘要

基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似,本文利用第一性原理方法着重研究了[112]晶向硅锗异质结纳米线的电子结构与光学性质.能带结构计算表明:随着锗原子数的增加,[112]晶向硅锗纳米线的带隙逐渐减小;对Si36 Ge24 H32纳米线施加单轴应变,其能量带隙随拉应变的增加而单调减小.光学性质计算则表明:随着锗原子数的增加,[112]硅锗纳米线介电函数的峰位和吸收谱的吸收边均向低能量区移动;而随着拉应变的增大,吸收系数峰值呈现出逐渐减小的趋势,且峰位不断向低能量区移动,上述结果说明锗原子数的增加与施加拉应变均导致[112]硅锗纳米线的吸收谱产生红移.本文的研究为硅锗异质结纳米线光电器件研究与设计提供一定的理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李敏	南京信息工程大学江苏省大气环境与装备技术协同创新中心	46	160	7.0	11.0
2	张加宏	南京信息工程大学江苏省大气环境与装备技术协同创新中心	45	188	8.0	11.0
3	顾芳	南京信息工程大学物理与光电工程学院	29	120	6.0	9.0
4	赵佳佳	南京信息工程大学物理与光电工程学院	3	3	1.0	1.0