Sn薄膜沉积时间对首周锂离子容量损失的影响

• 作者: 周爱军 戴新义 李剑文 李晶泽 黄宗令
• 来源期刊: 中国科技论文
• 学科: 化学
• 关键词: 锂电池 磁控溅射 锡 薄膜 SEI膜 表面形貌
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 104-108
• 页数: 5页
• 分类号: O646|TM912.9
• 字数: 4156字
• 语种: 中文

摘要

通过控制直流磁控溅射时间在15～3 600 s之间制备出系列不同厚度的Sn薄膜负极,研究了沉积时间变化对首周不可逆容量损失的影响.当Sn薄膜沉积时间为15 s时,首周放电容量远远大于理论容量,其中首周充放电不可逆容量损失占首周放电容量的56％以上,1.5V至锡锂合金化反应电位0.67V之间出现的SEI膜是造成该不可逆容量的主要原因.随着薄膜沉积时间增加,首周容量损失呈现非单调变化趋势.当沉积时间低于600 s时,首周容量损失与SEI膜容量变化趋势基本一致；当沉积时间长于600 s时,首周容量损失单调递增,而SEI膜容量单调下降,说明SEI膜的形成不再是首周容量损失的主要原因.应用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对不同沉积时间Sn薄膜进行结晶形态和表面形貌分析,探讨了薄膜表面形貌、结晶形态与SEI膜容量及首周不可逆容量损失之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周爱军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	12	3.0	3.0
2	李晶泽	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	19	36	3.0	5.0
3	戴新义	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	8	2.0	2.0
4	李剑文	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	8	2.0	2.0
5	黄宗令	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	24	3.0	4.0