AlGaN/GaN HEMT微加速度计的设计和温度特性研究

• 作者: 李颖 赵晓霞
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 加速度计 温度依赖性 I-V特性
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 5320-5324
• 页数: 5页
• 分类号: TH701|TP216
• 字数: 3441字
• 语种: 中文

摘要

采用一种新原理来设计AlGaN/GaN HEMT加速度计,从理论和实验两方面分析和验证了温度的变化对加速度计的输出特性带来的影响.测试了AlGaN/GaN基HEMT器件在常温下的I-V特性和在不同温度下输出特性的变化.结果表明,随着温度的升高,器件的饱和电流减小.根据计算速率约为0.027 mA/℃.加速度计可以在-50℃-50℃的温度安全稳定的工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵晓霞	中北大学电子测试技术国家重点实验室	24	103	6.0	10.0
2	李颖	中北大学电子测试技术国家重点实验室	26	35	4.0	5.0