篇名 | Impact of GaNAs strain compensation layer on the electronic structure of InAs/GaAs quantum dots | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | strain compensation layer quantum dots energy levels electronic structure | ||
年,卷(期) | 2013,(1) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 499-503 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/1/017304 |