功率参数对光电薄膜Mg2Si择优取向的影响

• 作者: 余志强 谢泉
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 硅化二镁 功率参数 择优取向
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 压电功能材料
• 页码范围: 438-440
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1832字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射设备,在硅(111)衬底上制备了光电半导体薄膜Mg2 Si.通过X线衍射仪(XRD)和场致发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg2 Si的晶体结构和微观形貌进行了表征,研究了功率参数对光电半导体薄膜Mg2 Si外延择优取向的影响.结果表明,在60～90W的溅射功率范围内,硅基外延Mg2 Si具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)晶面的衍射峰强度先增大后减小,在70 W溅射功率下Mg2 Si(220)晶面的衍射峰强度最强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院	133	486	12.0	17.0
2	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0