用于未来轨道牵引电路的双SiCMOSFET模块的特性检测

• 作者: Joseph FABRE Michel PITON Philippe LADOUX 张斌
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT SIC MOSFET模块 开关损耗 轨道牵引变频器
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN86

摘要

硅IGBT已经广泛用于轨道牵引变频器，不久的将来，碳化硅（SiC）技术将在3个方向上进一步扩展开关器件的极限：更高的阻断电压、更高的工作温度和更高的开关速度。如今．第一批SiCMOSFET模块已经有效的投向市场，并且很有希望虽然目前在阻断电压方面仍有待提高，但这些宽禁带器件将大大改善牵引电路的效率，尤其是在开关损耗上预期会行艟著的降低，从而导致功率一重量比的大幅改善。