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摘要:
在硅衬底上设计了一种单开口环谐振器,对其太赫兹频段内的透射性质进行了研究.假定通过光注入方式改变衬底硅的电导率,实现了谐振环的双谐振透射率可调.将砷化镓材料生长于该谐振环的开口处,通过光注入方式改变砷化镓材料的电导率,可以实现谐振环的双频LC共振和偶极子共振模式与单频闭合环共振模式之间的转换.这种通过光注入改变半导体材料电导率的方法,可以在不破坏原来谐振器件物理结构的前提下,实现谐振环谐振模式的可逆转换.
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文献信息
篇名 太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换
来源期刊 强激光与粒子束 学科 物理学
关键词 开口环谐振器 太赫兹 透射 超材料
年,卷(期) 2013,(9) 所属期刊栏目 太赫兹技术
研究方向 页码范围 2324-2328
页数 5页 分类号 O433.4|O482.3
字数 505字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20132509.2324
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研究主题发展历程
节点文献
开口环谐振器
太赫兹
透射
超材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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9833
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7
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61664
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