硅PIN光电探测器阵列的串扰分析

• 作者: 冯世娟 冯其 曹阳 武逶 王巍 王振 白晨旭
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: PIN探测器阵列 串扰 保护环
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 12-15
• 分类号: TL814
• 语种: 中文

摘要

在利用高密度线性阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件的成像质量.文章对厚度为100μm的背照式PIN光电探测器线性阵列的电串扰特性进行了分析,通过Silvaco TCAD器件仿真软件对阵列的暗电流和光电流进行了仿真,分析了像元间的电串扰特性,同时对比分析了保护环结构对器件的暗电流和电串扰特性的影响.仿真结果表明,保护环结构器件的暗电流和电串扰性能均优于无保护环的结构,在有保护环时PIN器件的串扰是无保护环结构的1/5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电大学光电工程学院	72	264	9.0	10.0
2	冯世娟	重庆邮电大学光电工程学院	26	115	8.0	9.0
3	王振	重庆邮电大学光电工程学院	26	71	6.0	7.0
4	曹阳	重庆邮电大学光电工程学院	7	23	3.0	4.0
5	武逶	重庆邮电大学光电工程学院	8	49	5.0	6.0
6	冯其	重庆邮电大学光电工程学院	8	49	5.0	6.0
7	白晨旭	重庆邮电大学光电工程学院	6	47	5.0	6.0