应用于变化条件下延时分析的反相器模型

• 作者: 喻明艳 王新胜
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 工艺变化 反相器门延时模型 衬底耦合效应 多项式混沌
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1448-1452
• 页数: 5页
• 分类号: TP211|TN402
• 字数: 2917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.07.032

摘要

本文提出了一个考虑衬底耦合效应的门延迟模型。该模型在考虑衬底耦合效应下转换CMOS反相器的延迟为等效电阻和电容（RC）网络延迟。考虑工艺参数扰动和衬底耦合效应对门延时的影响，建立基于工艺扰动的简单开关电容门延迟模型，结合随机配置法和多项式的混沌展开法分析门延时。利用数值计算方法对本模型和分析方法进行验证，结果表明与HSPICE精确模型仿真结果的相对误差小于2％，证明本模型和分析方法的有效性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	喻明艳	哈尔滨工业大学航天学院	62	272	9.0	12.0