交联剂对PVP介质膜电学特性的影响

• 作者: 余屯 刘欢 邱禹 钟传杰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: PVP 绝缘膜 有机薄膜晶体管 陷阱密度 漏电机理
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 428-431,435
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文

摘要

通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性,研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响.交联剂PMF和PVP均溶于PGMEA,PVP绝缘膜通过溶液旋涂法由交联剂质量分数分别为1％、3％、5％、7％的四种溶液制成,四种溶液PVP的质量分数均为5％.对C-V特性、V-t特性和I-V特性的分析表明,在PVP质量分数为5％的溶液中,加入质量分数为5％的交联剂,退火之后形成的PVP绝缘膜陷阱密度最低,漏电流最小,仅为2.9×10-8 A/cm2.通过对J-V特性曲线的线性拟合发现,PVP绝缘膜在低电场情况下漏电机理为P-F效应,在高电场情况下PVP绝缘膜漏电机理存在由肖特基发射至空间电荷限制电流效应的转化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟传杰	江南大学物联网学院	53	90	5.0	7.0
2	余屯	江南大学物联网学院	3	6	2.0	2.0
3	邱禹	江南大学物联网学院	3	6	2.0	2.0
4	刘欢	江南大学物联网学院	14	23	3.0	3.0