纳米WS2和MoS2在西安脉冲堆中辐照损伤的计算机模拟

• 作者: 凤仪 张学斌 张忠兵 朱养妮 朱广宁 江新标 潘孝兵 王立鹏
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 西安脉冲堆 中子辐照损伤 原子离位率
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TL341
• 字数: 3366字
• 语种: 中文

摘要

采用蒙特卡罗程序(MCNP)对纳米材料WS2和MoS2在西安脉冲堆辐照实验下的位移损伤—原子离位数率进行了模拟计算与分析,确定了堆芯辐照样品内的中子注量率分布;对各样品的中子剂量率、γ剂量率进行了计算,采用典型的热中子反应堆的能谱加权,基于平均位移Kerma因子的方法,利用NJOY程序从最新的ENDF/B Ⅶ.1评价库中获取各元素的69群损伤截面,对各元素原子离位截面进行了计算,最终得到了各样品的原子离位数率.计算结果显示,纳米材料WS2和MoS2最大原子离位数率可达1.51×10-8 DPA·s-1,且快中子对原子离位数率贡献要大于热中子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	凤仪		94	1206	17.0	30.0
2	张学斌		61	490	12.0	20.0
3	朱广宁		13	23	3.0	4.0
4	江新标		85	165	6.0	7.0
5	张忠兵		47	186	8.0	11.0
6	朱养妮		17	36	4.0	5.0
7	潘孝兵		17	101	6.0	9.0
8	王立鹏		21	39	3.0	5.0