低损耗ZrTi2O6填充PTFE复合基板性能

• 作者: 吴开拓 崔毓仁 张树人 袁颖 闫翔宇
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合材料 ZrTi2O6 聚四氟乙烯 介电特性 基板
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 76-81
• 页数: 6页
• 分类号: TB332
• 字数: 3400字
• 语种: 中文

摘要

采用热压成型工艺,制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)的新型微波复合基板材料.采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能(8～12 GHz).结果表明,ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数(εr)和介电损耗(tanδ)随着ZrTi2O6陶瓷体积分数(0～46％)的增加而增大,介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合.ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小.46％的ZrTi2O6为较优填料比例,ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42,介电损耗为0.0022(10 GHz).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	187	1176	16.0	24.0
2	袁颖	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	38	248	9.0	14.0
3	闫翔宇	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	35	2.0	3.0
4	吴开拓	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	37	2.0	5.0
5	崔毓仁	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	39	2.0	6.0