低温普通取向硅钢高温退火过程中高斯晶粒的演变

• 作者: 仇圣桃 付兵 凌晨 唐广波 樊立峰 项利
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 取向硅钢 高斯织构 二次再结晶 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 81-86
• 页数: 6页
• 分类号: TG142.77
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201311015

摘要

对低温加热工艺生产的普通取向(common grain-oriented,CGO)硅钢的高温退火过程进行了中断实验,材料为含3.0％ Si、0.5％ Cu、0.009 8％ S(均为质量分数)的以Cu2S为主抑制剂的普通取向CGO钢.原始板坯厚度为230 mm,于1 200℃均热后经4道次粗轧、7道次精轧至2.3 mm;热轧板采用两次冷轧法轧至0.3 mm,中间完全脱碳退火,最后于1 200℃高温退火.最后样品的磁性能:铁损P17/50为1.182 W/kg,磁感应强度B8为1.897 T.借助配有EDAX OIM电子背散射衍射(EBSD)系统的ZEISS SUPRA 55VP扫描电子显微镜,对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究,结果表明:升温过程中晶粒尺寸增长缓慢,650℃时取向分布函数(ODF)图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角小于9°;950℃时高斯晶粒平均生长速度超过其他晶粒;950～1 000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角降至约3°;在950℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势.