CdSe/TiO2纳米管阵列同轴异质结制备及其光电特性研究

• 作者: 刘勇 朱文 马建
• 来源期刊: 软件
• 学科: 化学
• 关键词: 电化学原子层外延 TiO2纳米管阵列 硒化镉 欠电位沉积 光电转化效率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 通信技术
• 页码范围: 50-55
• 页数: 6页
• 分类号: O649
• 字数: 4926字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6970.2013.01.017

摘要

研究了TiO2纳米管阵列衬底上镉和硒的欠电位沉积电化学行为.结合欠电位沉积技术和共沉积技术,优选出合适的沉积电位,以此为依据在高度规整有序的TiO2纳米管管壁上外延生长窄带隙化合物半导体CdSe.FESEM、XRD、EDAX、TEM表征结果综合表明,已成功地在纳米管外壁制备出具有准化学计量比的CdSe外延层,获得了CdSe/TiO2纳米管阵列同轴异质结结构.对制备的CdSe/TiO2/Ti样品进行了光电性能测试,结果表明当沉积时间为7h时制备得到的样品光电效率最高.同时对比研究了不同退火气氛对于样品光活性的影响,表明在氮气中退火能在TiO2晶格中引入N,有利于光敏性的提高,但是提高幅度随着CdSe沉积时间增大而下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱文	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	48	401	10.0	18.0
2	刘勇	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	158	1356	20.0	28.0
3	马建	华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室	2	3	1.0	1.0