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低温下EMCCD电子倍增模型
低温下EMCCD电子倍增模型
作者:
李彬华
胡泊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
半导体器件
电荷耦合元件 (CCD )
低温
电子倍增
电离率
数学建模
摘要:
了研究低温下电子倍增CCD (EMCCD )的电荷倍增特性,根据电子碰撞电离原理,建立了电离率模型;并依据雪崩倍增积分关系,针对所分析的EMCCD器件,建立了其低场强的倍增模型。通过倍增模型的理论计算结果与TI公司提供的实际器件TC285SPD和TC253SPD的倍增曲线比较,说明所提出模型的数据能够很好地拟合实际的倍增曲线。该模型可以方便地计算在固定栅极电压下的电子信号通过多级级联电子倍增寄存器后的总增益,进而可用于EM-CCD相机的增益调整和校正。
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关键词热度
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(/年)
文献信息
篇名
低温下EMCCD电子倍增模型
来源期刊
电子学报
学科
工学
关键词
半导体器件
电荷耦合元件 (CCD )
低温
电子倍增
电离率
数学建模
年,卷(期)
2013,(9)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1826-1830
页数
5页
分类号
TN29
字数
3721字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.0372-2112.2013.09.025
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李彬华
昆明理工大学信息工程与自动化学院
40
190
7.0
11.0
2
胡泊
昆明理工大学信息工程与自动化学院
2
11
2.0
2.0
传播情况
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(/次)
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引文网络
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
半导体器件
电荷耦合元件 (CCD )
低温
电子倍增
电离率
数学建模
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0372-2112
CN:
11-2087/TN
开本:
大16开
出版地:
北京165信箱
邮发代号:
2-891
创刊时间:
1962
语种:
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
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