GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究

• 作者: 刘海瑞 梁建 王晓宁 董海亮 许并社 贾伟 贾虎生
• 来源期刊: 无机化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaOOH薄膜 GaN薄膜 水热方法 氨化
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1019-1024
• 页数: 6页
• 分类号: O649|TN304.23
• 字数: 3928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4861.2013.00.121

摘要

本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法,在旋涂有ZnO的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的GaOOH构成的薄膜,然后在950 ℃下对样品进行氨化得到由排列整齐纺锤体组成的GaN薄膜.然后对氨化前后样品的形貌,结构和光学性能分别通过FESEM、EDS、TEM、XRD和PL谱进行了表征.结果表明:水热生成的GaOOH薄膜是由纺锤体形状GaOOH紧密排列形成,该纺锤体形状GaOOH有直径大约600 nm,长约为1.5～2 μm.氨化前后样品的形貌没发生太大的变化;但晶体结构由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN;而且发光峰也由较宽的绿光峰转变为中心为365 nm的蓝光峰,这主要是由于样品由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN引起的.最后对排列整齐的锤体形构成的GaOOH薄膜的形成机理以及GaOOH向GaN的转变过程发生的化学反应做了简单的探讨和分析.