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摘要:
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能.研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性.作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92%的太阳电池.
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文献信息
篇名 用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 RF-PECVD 非晶硅薄膜 硅烷浓度 HIT太阳电池
年,卷(期) 2013,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 2230-2234
页数 5页 分类号 O484.4
字数 2555字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨瑞霞 河北工业大学信息工程学院 180 759 13.0 18.0
2 薛俊明 15 43 5.0 5.0
3 齐晓光 河北工业大学信息工程学院 3 26 3.0 3.0
4 雷青松 9 35 4.0 5.0
5 柳建平 河北工业大学信息工程学院 2 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
RF-PECVD
非晶硅薄膜
硅烷浓度
HIT太阳电池
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
总被引数(次)
38029
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