四管像素满阱容量影响因素研究

• 作者: 姚素英 孙权 张冬苓 徐江涛 徐超
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子学与固体电子学 四管像素 满阱容量 CMOS图像传感器 光电二极管电容 防穿通注入
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 815-819
• 页数: 5页
• 分类号: TN364|TN491
• 字数: 3369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2013.06.012

摘要

在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上，着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容量的影响，建立了满阱容量的计算模型。将测试结果与模型公式进行拟合，可以预估像素的满阱容量，指导像素设计。为了提高四管像素的满阱容量，提出在钳位光电二极管与浮空节点之间增加P型注入层稳定阱容量的方法。增加P型注入层可以大幅减小积分时间内光电二极管中储存的光生电子向浮空节点方向的泄漏，从而有效稳定阱容量。测试结果表明，在多种工艺条件下，像素的满阱容量从基本可以忽略提升至十万个电子的量级。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚素英	天津大学电子信息工程学院	160	911	14.0	21.0
2	徐江涛	天津大学电子信息工程学院	78	323	11.0	14.0
3	徐超	天津大学电子信息工程学院	24	134	6.0	11.0
4	孙权	天津大学电子信息工程学院	7	20	3.0	4.0
5	张冬苓	天津大学电子信息工程学院	3	9	2.0	3.0