γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理

• 作者: 冯婕 周东 张翔 文林 李豫东 蔡毓龙 郭旗 马林东
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 图像传感器 CMOS 满阱容量 电离总剂量效应
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: TP212
• 字数: 1806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.010604

摘要

用60 Coγ射线对国产0.18 μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱容量的变化规律.试验的吸收剂量率为50 rad(Si)· s-1,测试点的吸收剂量分别为10,30,50,100,150,200,350 krad (Si).结果 表明,随着吸收剂量的增大,满阱容量发生了明显退化.根据提出的钳位光电二极管(PPD)满阱容量计算模型,对实验结果进行了分析.结果 表明,辐照导致PPD沟道所能达到的最小电势和PPD电容的变化是引起满阱容量退化的主要原因.