星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应研究

• 作者: 张运方 曹中祥 李全良 钟红军
• 来源期刊: 空间控制技术与应用
• 学科: 航空航天
• 关键词: 4T像素 CMOS图像传感器 星敏感器 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 论文与报告
• 页码范围: 45-50
• 页数: 6页
• 分类号: V448.22
• 字数: 4700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-1579.2018.06.007

摘要

对星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应进行研究,机理分析及总剂量试验结果表明像素暗电流及暗电流不一致性随总剂量增加而增加,像素光强响应及满阱容量随总剂量增加而降低.进一步分析得出星敏感器星点定位误差随辐照总剂量增加而增大,在100krad(Si)总剂量下,星点定位误差相比辐照前增加约3倍.结合器件总剂量效应退化机理,提出星敏感器在轨使用时器件采用增加像素内传输管电荷转移的开启时间、提高传输管的控制电压以及提高像素的复位电压等措施,可以降低由于总剂量效应导致星敏感器的星点定位误差增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟红军		16	59	5.0	7.0
2	曹中祥		2	1	1.0	1.0
3	张运方		1	0	0.0	0.0
4	李全良		1	0	0.0	0.0