Si掺杂过渡元素Sc、Ti、V、Cr电子结构研究

• 作者: 于杰 叶未 唐雪莲 董琳玲 马坡
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 晶格参数 电子结构 光学性质 过渡元素
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 543-546
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 2345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2013.05.008

摘要

文章采用第一性原理的平面波赝势方法,对单晶Si掺杂4种过渡元素的体系从晶格参数、电子结构以及光学性质等方面进行了理论计算与研究.计算结果表明,在4种掺杂元素中,掺杂Cr元素的晶格参数、晶胞体积反而变小,晶胞能最低,体系也最稳定.从体系的电子结构分析发现,在单晶Si中掺杂这4种过渡元素时,掺杂Cr元素的体系杂化最为剧烈,吸收峰位于费米面以上的2.42～2.80 eV区域,是由Si的2p电子与Cr的3d轨道作用所致,在该区域的波长为443～513 nm,位于可见光区,同时掺杂Cr的体系最稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于杰	昆明理工大学材料科学与工程学院	68	352	12.0	16.0
2	唐雪莲	昆明理工大学材料科学与工程学院	16	48	5.0	6.0
3	董琳玲	昆明理工大学材料科学与工程学院	5	30	2.0	5.0
4	叶未	昆明理工大学材料科学与工程学院	9	25	2.0	4.0
5	马坡		6	2	1.0	1.0