腔面非注入区技术在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用

• 作者: 刘媛媛 刘斌
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 GaAs/AlGaAs 激光二极管列阵 腔面非注入区
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 142-144
• 页数: 3页
• 分类号: TN248
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/LOP50.111404

摘要

在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25 μm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值.常规条宽100 μm,含有19个发光单元的1 cm列阵激光器的COD阈值功率为30 W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斌		32	103	6.0	10.0
2	刘媛媛	中国科学院半导体研究所	30	168	8.0	12.0