化学气相浸渗/反应法制备MoSi2-SiC涂层的合成机理及其氧化性能

• 作者: 付前刚 何子博 史小红 吴恒 李贺军
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: MoSi2-SiC涂层 沉积温度 MTS原始分压 氧化性能
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 2100-2106
• 页数: 7页
• 字数: 678字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(13)62702-8

摘要

采用化学气相浸渗/反应法(CVI/CVR)在C/C复合材料表面制备MoSi2?SiC防氧化涂层。首先，制备多孔金属Mo层，然后以甲基三氯硅烷(MTS)为前驱体，利用CVI/CVR技术制备MoSi2?SiC复合涂层。采用XRD、SEM技术研究MoSi2?SiC复合涂层的制备机理，并考察涂层样品的抗氧化性能。结果表明，MTS分解的SiC填充了多孔金属Mo层中的孔隙，并与金属Mo发生反应，制备出致密的MoSi2?SiC复合涂层；在优化工艺条件下所得到的涂层样品在1500°C 空气中氧化80 h后质量损失仅为1.25%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	351	3778	28.0	39.0
2	付前刚	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	30	198	9.0	13.0
3	吴恒	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	9	49	3.0	7.0
4	史小红	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	10	42	5.0	6.0
5	何子博	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	10	1.0	2.0