篇名 | High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diode high-temperature annealed resistive termination extension (HARTE) | ||
年,卷(期) | 2013,(9) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 568-573 | |
页数 | 6页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/9/097302 |