篇名 | Influence of a drain field plate on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | AlGaN/GaN high electron mobility transistor forward blocking voltage drain field plate | ||
年,卷(期) | 2013,(11) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 528-531 | |
页数 | 4页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/11/117307 |