静态煅烧法除SiC微粉中碳杂质的工艺研究

• 作者: 付仲超 姜涛 马勤
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 静态煅烧法 SiC 碳杂质
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 学术交流
• 页码范围: 219-220
• 页数: 2页
• 字数: 2165字
• 语种: 中文

摘要

由于SiC在电子半导体方面有较大应用,纯度要求就成为主要限制,尤其是碳杂质的影响.本实验对SiC微粉首先经过不同温度的煅烧测定烧失率确定最佳煅烧温度,然后在最佳煅烧温度下通过不同保温时间测定烧失率确定最佳保温时间,对粉体进行DTA-TG测定分析样品质量变化与温度的关系,最后对实验前后的样品进行XRD物相分析,最终得到除碳最佳煅烧温度900℃,最佳保温时间3h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马勤	兰州理工大学材料科学与工程学院	100	610	12.0	20.0
2	姜涛	兰州理工大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
3	付仲超	兰州理工大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0